展會回顧 | 宏微科技 PCIM Asia 圓滿收官
2025年9月24日至26日,為期三天的2025上海PCIM Asia展在上海新國際博覽中心圓滿落下帷幕。作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),宏微科技在展會中精彩亮相,攜最新產(chǎn)品陣容與解決方案成為全場焦點。
此次展會上,宏微科技精心設(shè)置了“新能源汽車”、“光伏儲能”、“工業(yè)控制”與“家用電器”四大主題展區(qū),以多維度、全方位的方式呈現(xiàn)了覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的眾多創(chuàng)新產(chǎn)品。公司多款核心產(chǎn)品集中亮相,包括車規(guī)灌封模塊、塑封模塊、1700V高壓IGBT產(chǎn)品、風(fēng)光儲專用功率模塊以及三代半產(chǎn)品等最新技術(shù)成果,吸引了大量國內(nèi)外客戶、專業(yè)觀眾及行業(yè)媒體的廣泛關(guān)注。此次全面展示,不僅彰顯了宏微科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累,也充分體現(xiàn)了公司在持續(xù)創(chuàng)新與研發(fā)方面的強大實力。
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宏微科技憑借領(lǐng)先的產(chǎn)品與技術(shù),在展期內(nèi)吸引了眾多訪客駐足與交流。現(xiàn)場團隊與客戶就產(chǎn)品性能、解決方案及合作前景進(jìn)行了多輪富有成效的溝通。本次展會顯著提升了公司的行業(yè)能見度,并為深化市場布局開辟了新路徑。
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展會期間,公司重點推介了全新推出的GVE系列三相六單元拓?fù)淠K,該產(chǎn)品采用宏微最新一代M7i+芯片技術(shù),相較上代芯片,M7i+芯片在高負(fù)載工況下總損耗降低約15%,芯片最高工作結(jié)溫由原來175℃提升至185℃;GVE封裝采用耐溫更高的封裝材料,封裝體積較GV減小20%,與GV相比保持相同的輸出能力從而實現(xiàn)更低的成本。同時,該封裝可支持SiC芯片,具備6并、4并,2并的規(guī)格,采用第三代平面柵SiC芯片,納米銀燒結(jié)和DTS工藝,進(jìn)一步提升功率器件的性能。

TPak是一種專為大功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的先進(jìn)封裝形式,尤其適合應(yīng)對大電流和高功率密度的挑戰(zhàn)。通過使用AMB陶瓷基板和銅Clip工藝替代傳統(tǒng)的綁定線,TPak模塊具有更低的熱阻和更高的可靠性,散熱能力更強,壽命更長。它采用介于單管和常規(guī)模塊之間的單開關(guān)模塊設(shè)計,既突破了單管的功率限制,又保留了靈活并聯(lián)的便利性,可以根據(jù)功率需求輕松擴展。

SDC塑封半橋模塊專為發(fā)揮碳化硅(SiC)的卓越性能而優(yōu)化。其超低的環(huán)路電感和更低的電壓尖峰,能有效降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)整體效率。同時,低導(dǎo)通電阻和快速的反向恢復(fù)特性,確保了模塊在高頻應(yīng)用中的高效與穩(wěn)定,這對于提升電驅(qū)系統(tǒng)的功率密度和續(xù)航能力至關(guān)重要。

在同期舉辦的碳化硅主題論壇上,宏微科技的技術(shù)專家應(yīng)邀發(fā)表專題演講,深入分享了公司在SiC產(chǎn)品方面的技術(shù)突破與實踐成果。

展會期間,宏微科技成功舉辦了6場技術(shù)講座。每場講座,公司專家都深入淺出地講解了前沿技術(shù)與解決方案,吸引了大量專業(yè)觀眾駐足聆聽。這一系列高密度的技術(shù)展示,不僅有效輸出了公司的技術(shù)實力,更強化了與核心受眾的聯(lián)結(jié),為市場拓展提供了強勁動能。
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此次PCIM Asia的精彩亮相,為宏微科技的未來發(fā)展按下了加速鍵。面向未來,公司將以持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新為引擎,將更先進(jìn)的功率半導(dǎo)體技術(shù)與解決方案,深度融入電動汽車、人工智能數(shù)據(jù)中心及光儲充一體化等核心領(lǐng)域,為產(chǎn)業(yè)的升級迭代注入強勁的“芯”動力。宏微科技愿與全球伙伴協(xié)同并進(jìn),共同驅(qū)動能源效率的持續(xù)革命,引領(lǐng)電力電子產(chǎn)業(yè)走向一個更高效、更智能、更可持續(xù)的未來。